NCE60R021W - IC配单

起订量价格 1-49 ￥47.00 50-99 ￥43.00 100以上￥41.50

详细信息

N沟道增强型场效应管NCE60R021W Vds=650V Ids=110A RDS(ON)<21mΩ ,TO-3PL

NCE60R021W是一款采用先进结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET，采用先进的沟漕道工艺制做，导通阻低RDS(ON) ，开关速度快，低开启电压Vgs，带ESD保护，稳定性好，具有很高的EAS均匀性。该MOSFET有着广泛的应用。

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