NCE70R1K2 - IC配单

详细信息

超结场效应管 NCE70R1K2 Vds=700V Ids=4A RDS(ON)<1200mΩ @ VGS=10V,TO-220

NCE70R1K2是一款利用先进的电荷平衡技术的超结MOSFET（兼容COOLMOS系列产品），在第一代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，产品特征导通电阻（Rdson*A）降低40%，开关损耗降低12%，总能效提升1.7%。充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。

产品应用：

功率因数校正电路 (PFC)
开关模式电源
不间断电源 (UPS)

品名	超结Mosfet NCE70R1K2
型号	NCE70R1K2
丝印标识	NCE70R1K2
品牌	新洁能
封装	TO-220
器件结构	超结工艺
晶体管类型	单通道
晶体管极性	N管
通道模式	增强型
栅极-源极电压 Vgs	±30V
N沟道接通延迟时间(nS)	6.00
N沟道接通上升时间(nS)	3.00
N沟道关断延迟时间(nS)	48.00
N沟道关断下降时间(nS)	8.00
体二极管正向电压 Vsd @ Is	1V @ 4A
体二极管反向恢复时间 trr @ 25°C	150nS
体二极管反向恢复电荷 Qrr @ 25°C	0.85uC
最高环境工作温度	150℃
最低环境工作温度	-55℃
最小包装数量	50
包装方法	管装
生产状态	现货
工程技术	MOSFET作用：1.场效应管应用于放大电路； 2.用于多级放大器的输入级作阻抗变换； 3.用作可变电阻； 4.用作恒流源；5.用作电子开关。, MOSFET特点： 1.场效应管是电压控制器件，通过VGS来控制ID；2.场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。3.它是利用多数载流子导电，温度稳定性较好； 4.场效应管的抗辐射能力强； 5.场效应管的噪声系数很小。

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